真空行業(yè)熱工解決方案
致力于成為國內(nèi)外電加熱器成套解決方案供應商，滿足客戶不同溫度需求定制化產(chǎn)品。
Star-Radiant系列真空加熱器
Star-Radiant系列真空加熱器由量動技術(shù)專家研發(fā)，專為高性能真空加熱應用設(shè)計。 該系列通過增強輻射及紅外線發(fā)射率，彌補真空環(huán)境下對流與傳導的傳熱缺失，并采用Rock-D強化技術(shù)，使加熱元件成為高度一體化結(jié)構(gòu)，在高溫、負壓環(huán)境下保持穩(wěn)定。
量動獨特的真空負壓抗爆技術(shù)大幅降低高溫高真空狀態(tài)下的爆管風險。 Star-Radiant已達到國際領(lǐng)先水平，廣受北方華創(chuàng)、北航、大物所、利方達等科研機構(gòu)和企業(yè)認可，并應用于高端真空領(lǐng)域。
技術(shù)開拓
TECHNOLOGICAL DEVELOPMENT
Star-Radiant-EC標準平臺
溫度范圍：
- 真空爐溫度：?350℃
- 加熱元件表面溫度：?650℃
特點：
- 專為低溫真空加熱需求設(shè)計。
- 采用高效加熱技術(shù)，無需紅外線增強即可實現(xiàn)穩(wěn)定的熱能輸出。
- 能耗低、成本經(jīng)濟，是滿足一般真空爐加熱需求的理想選擇。
應用場景：
- 半導體制造中的薄膜沉積 (CVD、PVD工藝)。
- 真空鍍膜工藝和其他工業(yè)上的真空應用。
- 半導體晶圓加熱盤、加熱板
- 半導體鍵合工藝加熱模塊
- 半導體封裝工藝加熱模塊
- 其他真空場景應用
Star-Radian-G標準平臺
溫度范圍：
- 真空爐溫度：?650℃
- 加熱元件表面溫度：?850℃
特點：
- 采用紅外線增強技術(shù)，顯著提升加熱效率和均勻性。
- 性能優(yōu)異，能夠滿足中高溫加熱需求。
- 專為真空鍍膜設(shè)備設(shè)計，提供精準而穩(wěn)定的溫控支持。
應用場景：
- 半導體制造中的薄膜沉積 (CVD、PVD工藝)。
- 真空鍍膜工藝和其他工業(yè)上的真空應用。
- 半導體晶圓加熱盤、加熱板
- 半導體鍵合工藝加熱模塊
- 半導體封裝工藝加熱模塊
- 其他真空場景應用
Star-Radiant-Max標準平臺
溫度范圍：
- 真空爐溫度：?950℃
- 加熱元件表面溫度：?1150℃
特點：
- 采用先進的紅外線增強技術(shù)，實現(xiàn)極高的熱效率和精準控溫。
- 設(shè)計用于高溫操作，耐用性強，適用于嚴苛工藝環(huán)境。
- 滿足最苛刻的加熱要求，是高溫真空設(shè)備的理想選擇。
應用場景：
- 高溫熱處理行業(yè)
- 增材研發(fā)
- 高溫高性能真空鍍膜工藝
- 半導體工業(yè)
- 軍工
- 科研
- 其他高真空高溫工業(yè)應用
核心技術(shù)
CORE TECHNOLOGY
StressFree應力釋放設(shè)計技術(shù)
在關(guān)鍵部件上進行應力緩釋優(yōu)化，例如增加膨脹節(jié)或柔性連接件，允許材料在熱膨脹過程中自然釋放應力，避免因應力積累導致的開裂或變形。
UniTherm通過仿真分析熱場分布，優(yōu)化加熱元件的布局和功率，使溫度分布更均勻，降低因局部過
StressDyn動態(tài)應力調(diào)節(jié)技術(shù)
在加熱器設(shè)計中引入可調(diào)結(jié)構(gòu)或補償機制，允許設(shè)備在不同工況下自動調(diào)整熱膨脹快速冷卻機制，在超高溫工況下，設(shè)計緊急冷卻路徑或系統(tǒng)，快速降低設(shè)備溫度，保護結(jié)構(gòu)穩(wěn)定性。
StressDyn動態(tài)應力調(diào)節(jié)技術(shù)
通過高精度氦質(zhì)譜檢測，確保加熱元件在極限真空環(huán)境下的密封性與可靠性，有效降低泄漏風險，保障長期穩(wěn)定運行。
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